Temperature Dependent Minority Carrier Recombination on GaAs: Sn

摘要: The recombination properties of minority carriers are determined from EBIC and CL measurements versus the primary electron beam energy on step cooling LPE grown n-type GaAs:Sn (3 × 1016 cm-3 ≦ n0 1.2 1018 cm−3) in temperature range 85 K T 300 K. diffusion length averaged absorption coefficient decrease with decreasing temperature. As a consequence increase external luminescence strength diminished is caused by lowered self rising internal quantum efficiency. With help yield analysis as function temperature, non-radiative due to deep Sn-acceptor shown strongly doped samples (n0 ≧ at T≦ 200 K. An n-leitendem, durch einen ‘step-cooling’ LPE-Prozes hergestellten (3×l016 cm−3 1,2 1018cm−3) werden die Rekombinationseigenschaften der Minoritatsladungstrager mit-tels energieabhangiger EBIC- und KL-Messungen im Temperaturbereich 85K unter-sucht. Die Diffusionslange mittlere Absorptionskoeffizient nehmen mit fallender Temperatur ab, so das Zunahme externen Lumineszenzintensitat verringerte Selbstabsorptiorptin den anwachsenden internen Quantenwirkungsgrad hervorgerufen wird. Unter Nutzungder Temperatur-abhangigkeit des Quantenwirkungsgrades wird Effektivitat nicht strahlenden Rekombinationskanals unter Einschlus tiefen Zinnakzeptors an starker dotierten Proben unterhalb nachgewiesen.