Semiconductor Characterization by Means of EBIC, Cathodo-, and Photoluminescence

摘要: The spectrally unresolved cathodoluminescence untensity (ICL) versus the primary energy of electron beam (Epr) is investigated on liquid phase epitaxial (LPE) grown n-type GaAs: Sn layers. Moreover diffusion length holes (Lh), internal quantum efficiency (Q), and self-absorption coefficient (α) are determined using induced current (EBIC) photoluminescence (PL), respectively. With help a theoretical model values Lh, Q α, dependence ICL(Epr) can be described in excellent correspondence between experimental findings. investigations reveal that knowledge Lh or α sufficient for determination remaining parameters. As result it found coupled EBIC CL experiments Epr valuable tool to characterize recombination excess carriers luminescent semiconductors. Die spektral nicht aufgeloste Katodolumineszenzintensitat wird als Funktion der Energie Primarelektronen an n-leitenden Sn-LPE-Schichten untersucht. Die Diffusionslange Locher innere Quantenwirkungsgrad (Q) und Selbstabsorptionskoeffizient werden durch Photolumineszenz-(PL)-Messungen bestimmt. Diese Werte benutzt, um den Zusammenhang ICL mit Hilfe eines Modells bei sehr guter Ubereinstimmung theoretischer experimenteller Resultate zu beschreiben. Es gezeigt, das die Kenntnis von oder fur eindeutige Bestimmung restlichen Parameter hinreichend ist. gute Eignung gekoppelter primarenergieabhangiger EBIC- Katodolumineszenzmessungen zur Untersuchung Rekombination Uberschusladungstragern lumineszierenden Halbleitern nachgewiesen.