Transport properties of copper‐doped indium oxide and indium tin oxide ceramics

摘要: The transport properties of undoped and copper-doped indium oxide tin ceramics are investigated. correlation between density, carrier concentration, mobility is analysed. density IO can be considerably increased by copper doping approaches that single crystals for 5 mol% CuO. increase results in an enhancement mobility. However, a lowering the electron as concentration increases, occurs because small amount enters lattice Cu(I). ITO also enhanced but, most interestingly, both content becomes more important. Results optical absorbance reported discussed relation with properties. For IO:Cu ceramics, free-carrier absorption region decreases CuO increases result concentration. As ITO:Cu stronger than IO:Cu, much higher. Die Transporteigenschaften von reinem und Cu-dotiertem Indiumoxyd Indiumzinnoxyd-Keramiken werden untersucht. Die Beziehungzwischen Dichte, Tragerkonzentration -beweglichkeit wird analysiert. Dichte der IO-Keramik durch die Cu-Dotierung betrachtlich erhoht erreicht bei Mol% den Wert fur Einkristalle. grosere ergibt einen Anstieg Tragerbeweglichkeit. nimmt mit zunehmender Cu-Konzentration ab, weil ein kleiner Teil des Kupfers als Cu(I) ins Gitter eingebaut wird. ebenfalls zu, interessanterweise nehmen beide dem Cu-Gehalt zu. Ergebnisse optischer Absorptionsmessungen Zusammenhang diskutiert. Fur IO:Cu-Keramik wachsendem CuO-Gehalt Absorption im Gebiet freier Ladungstrager aufgrund sinkenden ab. In ITO- ITO:Cu-Keramiken ist wegen viel hoheren freie starker IO:Cu.